| Summary: | El trabajo presenta un estudio de la cínetica de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada. Se utilizan dos procedimientos experimentales, la deposición de láminas por ablación láser y la irradicación de materiales con láser, ambos en atmósfera reactiva de oxígeno. El trabajo establece una unión entre la cinética del proceso de obtención de los óxidos y sus propiedades ópticas y de estegniometria. Se han utilizdo medidas óptimas en tiempo real para seguir dinamicamente el proceso de formación y crecimiento del óxido y medidas óptimas y de haces de iones (RBS,NRA) para caractizar sus propiedades. Los resultados muestran los mecanismos responsables de las propiedadesobservadas en los procesos de obtención y en los óxidos: presencia de especies energéticas, relación de flujos de átomos en el substrato, activación en fase líquida y ...
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