Efectos de una cinética bidemensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces
La utilización de una cinética de crecimiento bidimensiónal en la epitasia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de GaAs impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2x10 elevado a 19 cm (elevado a -3). Este límite es debido a la existenc...
| Main Author: | |
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| Corporate Author: | |
| Format: | Libros Digitales |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1992.
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| Online Access: | https://elibro.net/ereader/elibrounam/87671 |