Caracterización "in situ" de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-V
En este trabajo de tesis doctoral se ha abordado el estudio in situ de dos aspectos fundamentales en el crecimiento de sistemas heteroepitaxiales con diferencia de parámetro de red: los procesos de relajación y la evolución de la morfología. Para llevar a cabo el seguimiento de la morfología he...
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| Corporate Author: | |
| Format: | Libros Digitales |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
2002.
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| Online Access: | https://elibro.net/ereader/elibrounam/87752 |