Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GaAsnAlGaAs, n-GaAsInGaAs y AlAsInAsGaAs para dispositivos HEMT /
En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electronica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE (eplitaxis por haces moleculares de capas atomicas para obtener epitaxias de alta...
| Main Author: | |
|---|---|
| Corporate Author: | |
| Format: | Libros Digitales |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://elibro.net/ereader/elibrounam/103231 |