Estudio de la naturaleza y distribución de defectos en obleas de GaAs mediante técnicas de inyección de haces /
Los estudios realizados sobre el GaAs presentados en esta Memoria aportan informacion acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de GaAs semiconductor y GaAs semiaislante. El empleo de la catodluminiscencia (CL) y la microscopia electrocaustica de barrido (MEA...
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Format: | Libros Digitales |
Language: | Spanish |
Published: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
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Subjects: | |
Online Access: | https://elibro.net/ereader/elibrounam/103246 |